Electrical properties of boron doped CVD diamond after plasma cleaning probed by capacitance-voltage profiling

Registro completo de metadados
MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal de São Carlos (UFSCar)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.contributorLAS/INPE-
Autor(es): dc.contributorCiencia e Tecnologia de Sao Paulo-
Autor(es): dc.creatorAraujo, Luana S.-
Autor(es): dc.creatorBerengue, Olivia [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorBaldan, Maurício-
Autor(es): dc.creatorFerreira, Neidenei-
Autor(es): dc.creatorMoro, Joaõ-
Autor(es): dc.creatorChiquito, Adenilson-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-08-04T22:04:20Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-08-04T22:04:20Z-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2014-11-14-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1557/opl.2014.701-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/220262-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/220262-
Descrição: dc.descriptionDoped diamond films grown by chemical vapor techniques has been used to study hydrogen and oxygen terminated diamond. It is known that the electrical characteristics of metal-diamond interface are strongly affected by the diamond surface features. O2 plasma treatment was used as a cleaning procedure for as grown diamond samples leading to changes in the capacitance measurements after treatment. The alteration in the characteristics of the samples can be attributed to the surface adsorbates like hydrogen and water vapor present in the atmosphere. The results indicates that the O2 plasma treatment was effective in cleaning the surface revealing the expected features of a p-type diamond film.-
Descrição: dc.descriptionNanO LaB-Departamento de Fisica Universidade Federal de Sao Carlos-
Descrição: dc.descriptionFaculdade de Engenharia de Guaratingueta Universidade Estadual Júlio de Mesquita Filho-
Descrição: dc.descriptionLaboratorio Associado de Sensores e Materiais LAS/INPE-
Descrição: dc.descriptionInstituto Federal de Educacao Ciencia e Tecnologia de Sao Paulo-
Descrição: dc.descriptionFaculdade de Engenharia de Guaratingueta Universidade Estadual Júlio de Mesquita Filho-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationInternational Review of the Red Cross-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectDiamond-
Palavras-chave: dc.subjectsurface reaction-
Palavras-chave: dc.subjectthin film-
Título: dc.titleElectrical properties of boron doped CVD diamond after plasma cleaning probed by capacitance-voltage profiling-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

Não existem arquivos associados a este item.