Valence band anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual de Campinas (UNICAMP)-
Autor(es): dc.contributorUniv. Estadual de São Paulo-
Autor(es): dc.contributorLab. Nac. de Luz Síncrotron-
Autor(es): dc.creatorGomes, P. F.-
Autor(es): dc.creatorGodoy, M. P.F.-
Autor(es): dc.creatorNakaema, M. K.K.-
Autor(es): dc.creatorIikawa, F.-
Autor(es): dc.creatorLamas, T. E.-
Autor(es): dc.creatorQuivy, A. A.-
Autor(es): dc.creatorBrum, J. A.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-08-04T22:01:29Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-08-04T22:01:29Z-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2004-05-17-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1002/pssc.200304036-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/219356-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/219356-
Descrição: dc.descriptionWe present here the study of the effects of the biaxial tensile strain on the optical properties in GaAs/AlGaAs quantum wells using low-temperature photoluminescence and photoluminescence excitation techniques. We used a pressure cell that permits to apply a biaxial tensile strain on an epitaxial film up to ∼ 0.3 % (for GaAs). The strain was determined by the energy shift of the excitonic recombination of the own GaAs buffer layer of the sample. The results of the optical measurements show clear the strain effects on the light and heavy hole excitons transitions and also show their anti-crossing. This new results show that this system is appropriated to study optical properties involving resonant phenomena in semiconductor quantum wells. © 2004 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.-
Descrição: dc.descriptionInstituto de Física Universidade Estadual de Campinas, C. P. 6165, 13083-970 Campinas, SP-
Descrição: dc.descriptionInstituto de Física Univ. Estadual de São Paulo, C.P. 66318, 05315-970, São Paulo, SP-
Descrição: dc.descriptionLab. Nac. de Luz Síncrotron, C.P.-6192, 13084-971, Campinas, SP-
Formato: dc.format547-550-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationPhysica Status Solidi C: Conferences-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Título: dc.titleValence band anti-crossing in GaAs/AlGaAs quantum wells under tensile biaxial strain-
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