Binding energies of excitons trapped by ionized donors in semiconductors

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorAssociação de Escolas Reunidas–ASSER-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.creatordos Santos, A. S.-
Autor(es): dc.creatorMasili, Mauro-
Autor(es): dc.creatorDe Groote, J. J. [UNESP]-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-08-04T22:01:11Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-08-04T22:01:11Z-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2022-04-28-
Data de envio: dc.date.issued2001-01-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.64.195210-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/219260-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/219260-
Descrição: dc.descriptionUsing the hyperspherical adiabatic approach in a coupled-channel calculation, we present precise binding energies of excitons trapped by impurity donors in semiconductors within the effective-mass approximation. Energies for such three-body systems are presented as a function of the relative electron-hole mass σ in the range 1⩽1/σ⩽6, where the Born-Oppenheimer approach is not efficiently applicable. The hyperspherical approach leads to precise energies using the intuitive picture of potential curves and nonadiabatic couplings in an ab initio procedure. We also present an estimation for a critical value of σ (formula presented) for which no bound state can be found. Comparisons are given with results of prior work by other authors. © 2001 The American Physical Society.-
Descrição: dc.descriptionInstituto de Física de São Carlos Universidade de São Paulo–USP, Caixa Postal 369, 13 560-970 São Carlos, SP-
Descrição: dc.descriptionAssociação de Escolas Reunidas–ASSER, Rua Miguel Petroni 5111, 13 563-470 São Carlos, SP-
Descrição: dc.descriptionInstituto de Química de Araraquara Universidade Estadual Paulista–UNESP, Caixa Postal 355, 14 801-970 Araraquara, SP-
Descrição: dc.descriptionInstituto de Química de Araraquara Universidade Estadual Paulista–UNESP, Caixa Postal 355, 14 801-970 Araraquara, SP-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationPhysical Review B - Condensed Matter and Materials Physics-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Título: dc.titleBinding energies of excitons trapped by ionized donors in semiconductors-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

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