Strain-polarization coupling mechanism of enhanced conductivity at the grain boundaries in BiFeO3 thin films

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Autor(es): dc.contributorUral Fed Univ-
Autor(es): dc.contributorCharles Univ Prague-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (Unesp)-
Autor(es): dc.contributorFed Inst Educ Sci & Technol Sao Paulo-
Autor(es): dc.contributorNatl Acad Sci Ukraine-
Autor(es): dc.contributorOak Ridge Natl Lab-
Autor(es): dc.contributorUniv Aveiro-
Autor(es): dc.creatorAlikin, Denis-
Autor(es): dc.creatorFomichov, Yevhen-
Autor(es): dc.creatorReis, Saulo Portes [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorAbramov, Alexander-
Autor(es): dc.creatorChezganov, Dmitry-
Autor(es): dc.creatorShur, Vladimir-
Autor(es): dc.creatorEliseev, Eugene-
Autor(es): dc.creatorKalinin, Sergei V.-
Autor(es): dc.creatorMorozovska, Anna-
Autor(es): dc.creatorAraujo, Eudes B. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorKholkin, Andrei-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-02-22T00:57:34Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-02-22T00:57:34Z-
Data de envio: dc.date.issued2021-06-25-
Data de envio: dc.date.issued2021-06-25-
Data de envio: dc.date.issued2020-09-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1016/j.apmt.2020.100740-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/209767-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/209767-
Descrição: dc.descriptionCharge transport across the interfaces in complex oxides attracts a lot of attention because it allows creating novel functionalities useful for device applications. It has been observed that movable domain walls in epitaxial BiFeO3 films possess enhanced conductivity that can be used for reading out in ferroelectricbased memories. In this work, the relation between the polarization, strain and conductivity in sol-gel BiFeO3 films with special emphasis on grain boundaries as natural interfaces in polycrystalline ferroelectrics is investigated. The interaction between polarization and grain boundaries occuring at elevated temperatures during or after material sintering stage leads to the formation of branched network of highly conductive grain boundaries with the electrical conductivity about two orders higher than in the bulk. At room temperature, these conductive traces stabilized by the defects remain and do not change upon polarization switching. These collective states provide further insight into the physics of complex oxide ferroelectrics and may strongly affect their practical applications, because reveal an additional mechanism of the leakage current in such systems. (c) 2020 Elsevier Ltd. All rights reserved.-
Descrição: dc.descriptionRussian Science Foundation-
Descrição: dc.descriptionFCT/MEC-
Descrição: dc.descriptionFEDER-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionMarie Sklodowska-Curie Research and Innovation StaffExchange program-
Descrição: dc.descriptionDOE BES scientific user facility division-
Descrição: dc.descriptionUral Fed Univ, Sch Nat Sci & Math, Ekaterinburg 620100, Russia-
Descrição: dc.descriptionCharles Univ Prague, Fac Math & Phys, Prague 18000 8, Czech Republic-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, Dept Chem & Phys, Ilha Solteira, SP, Brazil-
Descrição: dc.descriptionFed Inst Educ Sci & Technol Sao Paulo, BR-15503110 Votuporanga, Brazil-
Descrição: dc.descriptionNatl Acad Sci Ukraine, Inst Problems Mat Sci, UA-03142 Kiev, Ukraine-
Descrição: dc.descriptionOak Ridge Natl Lab, Ctr Nanophase Mat Sci, Oak Ridge, TN 37831 USA-
Descrição: dc.descriptionNatl Acad Sci Ukraine, Inst Phys, UA-03028 Kiev, Ukraine-
Descrição: dc.descriptionUniv Aveiro, Dept Phys, P-3810193 Aveiro, Portugal-
Descrição: dc.descriptionUniv Aveiro, CICECO Aveiro Inst Mat, P-3810193 Aveiro, Portugal-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, Dept Chem & Phys, Ilha Solteira, SP, Brazil-
Descrição: dc.descriptionRussian Science Foundation: 19-72-10076-
Descrição: dc.descriptionFCT/MEC: UIDB/50011/2020-
Descrição: dc.descriptionFCT/MEC: UIDP/50011/2020-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2017/13769-1-
Descrição: dc.descriptionCNPq: 304604/2015-1-
Descrição: dc.descriptionCNPq: 400677/2014-8-
Descrição: dc.descriptionCAPES: 88881.310513/2018-01-
Descrição: dc.descriptionMarie Sklodowska-Curie Research and Innovation StaffExchange program: 778070-
Formato: dc.format7-
Idioma: dc.languageen-
Publicador: dc.publisherElsevier B.V.-
Relação: dc.relationApplied Materials Today-
???dc.source???: dc.sourceWeb of Science-
Palavras-chave: dc.subjectbismuth ferrite-
Palavras-chave: dc.subjectgrain boundaries-
Palavras-chave: dc.subjectconductivity-
Palavras-chave: dc.subjectinterfaces-
Palavras-chave: dc.subjectdomain structure-
Título: dc.titleStrain-polarization coupling mechanism of enhanced conductivity at the grain boundaries in BiFeO3 thin films-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

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