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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Imec | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.creator | Silva, V. C.P. | - |
Autor(es): dc.creator | Perina, W. F. | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, J. A. [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Simoen, E. | - |
Autor(es): dc.creator | Veloso, A. | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, P. G.D. | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:46:09Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:46:09Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2021-06-25 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2021-06-25 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-09-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1109/EUROSOI-ULIS49407.2020.9365565 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/206092 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/206092 | - |
Descrição: dc.description | This work analyzes the impact of temperature on the Analog figures of Merit of vertically stacked nanosheet nMOSFETs. The excellent electrostatic control between gate and channel results in a strong reduction of the short channel effect, as expected. The analog parameters like the intrinsic voltage gain, transistor efficiency and Early voltage are analyzed as a function of temperature. A high intrinsic voltage gain and a weak temperature dependence are observed, mainly at strong inversion region. The transistor efficiency and subthreshold swing maintain their value close to the theoretical limit. | - |
Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP University of Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | Imec | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | 2020 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, EUROSOI-ULIS 2020 | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Palavras-chave: dc.subject | Analog operation | - |
Palavras-chave: dc.subject | MOSFET | - |
Palavras-chave: dc.subject | Nanosheets (NS) | - |
Título: dc.title | Temperature influence on analog figures-of-merit of nanosheet nMOSFET devices for sub-7nm technology node | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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