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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.creator | Macambira, C. N. | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, P. G.D. [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, J. A. | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:45:32Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:45:32Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2021-06-25 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2021-06-25 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-31 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1149/2162-8777/abdd85 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/205873 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/205873 | - |
Descrição: dc.description | In this paper, we present a comprehensive study of the Fringing Field Biosensor Tunnel-FET (Bio-TFET) device based on 2Ddevice simulation. The presence of a biomaterial with a distinct dielectric constant (k, where ∈ = k∗∈0) on the underlap region (LUD) between gate and drain affects the ambipolar drain current (ID). The Bio-TFET can be observed in the ambipolar region (i.e., for negative gate voltage in an n type Bio-nTFET device) due to the variation of the k, biomaterial thicknesses (tBio), the LUD, and/ or the presence of charges (QBio) into the biomaterial/silicon interface. The results show that the maximum sensitivity is observed when LUD= 30 nm (3 orders of magnitude higher compared with LUDof 25 nm lower or higher than 30 nm). When tBioincreases from 10 nm to 30 nm (for k = 10), the sensitivity increases up to 1 orders of magnitude. The presence of QBiointo the biomaterial also increases the sensitivity of 60 times for a fixed value of tBio= 30 nm and k = 10 and QBiochanging from 1 × 1010cm-2to 1 × 1012cm-2. The results show that the sensitivity of the fringing field Bio-nTFET is strongly dependent on the tunneling length modulation. c 2021 The Author(s). | - |
Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP University of Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | ECS Journal of Solid State Science and Technology | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Título: dc.title | Study of a fringing field biosensor tunnel-FET | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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