Metallic behavior in STO/LAO heterostructures with non-uniformly atomic interfaces

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Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (Unesp)-
Autor(es): dc.contributorUniversity Jaume I (UJI)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Federal de São Carlos (UFSCar)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.creatorAmoresi, Rafael A.C. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorCichetto, Leonélio-
Autor(es): dc.creatorGouveia, Amanda F.-
Autor(es): dc.creatorColmenares, Yormary N.-
Autor(es): dc.creatorTeodoro, Marcio D.-
Autor(es): dc.creatorMarques, Gilmar E.-
Autor(es): dc.creatorLongo, Elson-
Autor(es): dc.creatorSimões, Alexandre Z. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorAndrés, Juan-
Autor(es): dc.creatorChiquito, Adenilson J.-
Autor(es): dc.creatorZaghete, Maria A. [UNESP]-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-02-22T00:34:47Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-02-22T00:34:47Z-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-11-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-11-
Data de envio: dc.date.issued2020-09-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1016/j.mtcomm.2020.101339-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/201887-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/201887-
Descrição: dc.descriptionThe search for new and low-power switching devices involving the integration of semiconductor thin films is of interest, and has led to renewed research because such devices may exhibit innovative properties. Here, we investigate the two-dimensional electron gas (2DEG) at the LaAlO3/SrTiO3 interface with metallic and insulator behavior. Insight is offered by quantifying the interface charge distribution associated with structural and electronic order-disorder effects. Variations in the electron conductivity were observed to be associated with different specific clustering arrangements of both Ti and Al cations of the co-exposed surfaces at the interface, i.e., structural and electronic connectivity among the undercoordinated [TiO5] and [AlO5] clusters. These results indicate facet control as a strategy for enhancing the electric and magnetic properties of a device via the quantum confinement of electrons.-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionUniversitat Jaume I-
Descrição: dc.descriptionGeneralitat Valenciana-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionFaculty of Engineering of Guaratinguetá São Paulo State University UNESP-
Descrição: dc.descriptionDepartment of Analytical and Physical Chemistry University Jaume I (UJI)-
Descrição: dc.descriptionDepartment of Physics FederalUniversity of São Carlos UFSCAR-
Descrição: dc.descriptionCDMF Federal University of São Carlos UFSCAR-
Descrição: dc.descriptionInstitute of Physics of São Carlos University of São Paulo – USP-
Descrição: dc.descriptionInterdisciplinary Laboratory of Electrochemistry and Ceramics LIEC Chemistry Institute São Paulo State University UNESP-
Descrição: dc.descriptionFaculty of Engineering of Guaratinguetá São Paulo State University UNESP-
Descrição: dc.descriptionInterdisciplinary Laboratory of Electrochemistry and Ceramics LIEC Chemistry Institute São Paulo State University UNESP-
Descrição: dc.descriptionCAPES: 150949/2018-9-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2013/07296-2, 2017/19143-7-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2018/01914-0-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2019/09296-6-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationMaterials Today Communications-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectDFT calculations-
Palavras-chave: dc.subjectElectronic transport properties-
Palavras-chave: dc.subjectLaAlO3/SrTiO3 interface-
Palavras-chave: dc.subjectThin film oxygen pressure-
Palavras-chave: dc.subjectTwo-dimensional electron gas (2DEG)-
Título: dc.titleMetallic behavior in STO/LAO heterostructures with non-uniformly atomic interfaces-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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