Atenção: Todas as denúncias são sigilosas e sua identidade será preservada.
Os campos nome e e-mail são de preenchimento opcional
Metadados | Descrição | Idioma |
---|---|---|
Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.creator | De Sousa, Bruna Ramos | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula Ghedini Der [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao Antonio | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:25:54Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:25:54Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-04-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1149/09705.0171ecst | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/198924 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/198924 | - |
Descrição: dc.description | In this work, a simple methodology is proposed to simulate the current mirror circuit based on the triple-gate SOI FinFET experimental data, called lookup table in Verilog-A. It was analyzed the reliability of the model, comparing between experimental and simulated data, with has proven to be reliable. It was also evaluated the performance of the transistor and as well the circuit regarding the efficiency and the gain, for p- and n-types, based on three different fin widths, before and after proton-irradiation. | - |
Descrição: dc.description | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) | - |
Descrição: dc.description | Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) | - |
Descrição: dc.description | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) | - |
Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP University of Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Formato: dc.format | 171-177 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | ECS Transactions | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Título: dc.title | Proton-irradiation influence on current mirror circuit using verilog-a approach based on experimental SOI FinFET characteristics | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
O Portal eduCAPES é oferecido ao usuário, condicionado à aceitação dos termos, condições e avisos contidos aqui e sem modificações. A CAPES poderá modificar o conteúdo ou formato deste site ou acabar com a sua operação ou suas ferramentas a seu critério único e sem aviso prévio. Ao acessar este portal, você, usuário pessoa física ou jurídica, se declara compreender e aceitar as condições aqui estabelecidas, da seguinte forma: