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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Imec | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula Ghedini Der [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Carmo, Genilson Julião Do [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao Antonio | - |
Autor(es): dc.creator | Simoen, Eddy | - |
Autor(es): dc.creator | Collaert, Nadine | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:25:54Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:25:54Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-04-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1149/09705.0053ecst | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/198923 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/198923 | - |
Descrição: dc.description | In this work, the behavior of MISHEMT devices with different gate materials is analyzed. Two-gate insulator materials (Al2O3 and SiN) were analyzed through the transfer characteristic, threshold voltage, hysteresis and transconductance. Although devices with SiN insulator present smaller hysteresis, better DIBL and it is nearest to a normally off devices, the leakage current showed to be much higher than for the Al2O3 counterpart. Besides the double conduction that occurs in SiN devices results in an anomalous behavior of transconductance and consequently an unexpected behavior of threshold voltage with temperature. | - |
Descrição: dc.description | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) | - |
Descrição: dc.description | Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) | - |
Descrição: dc.description | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP University of Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | Imec | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Formato: dc.format | 53-58 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | ECS Transactions | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Título: dc.title | Impact of gate dielectric material on basic parameters of MO(I)SHEMT devices | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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