Readout circuit design using experimental data of line-TFET devices

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorUniversity of Toronto-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (Unesp)-
Autor(es): dc.creatorGonçalez, Walter-
Autor(es): dc.creatorRangel, Roberto-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao Antonio-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula Ghedini Der [UNESP]-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-02-22T00:25:54Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-02-22T00:25:54Z-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-11-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-11-
Data de envio: dc.date.issued2020-04-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1149/09705.0165ecst-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/198921-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/198921-
Descrição: dc.descriptionBy considering the analog characteristics of Line Tunneling Field Effect Transistors (Line-TFETs) that are suitable for small-signal amplification, this paper studies the design of a readout circuit with these devices while making comparisons with conventional MOSFET designs. The results show that the Line-TFET design exhibits high gain and low reading error (51dB open loop gain) while using a simple one-stage amplifier and results in a huge reduction in circuit area by using pseudo feedback resistors that have their differential resistance increased for smaller dimensions, achieving up to 50Gohm in a 120nm x 100nm device. This enables cutoff frequencies below 1Hz while using nanometer devices and smaller capacitors. Moreover, the readout circuit achieves 33nW of power consumption even though the Line-TFET devices are not biased in the subthreshold regime.-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionLSI/PSI/USP University of Sao Paulo-
Descrição: dc.descriptionECE University of Toronto-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo State University-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo State University-
Formato: dc.format165-170-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationECS Transactions-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Título: dc.titleReadout circuit design using experimental data of line-TFET devices-
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