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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | University of Toronto | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.creator | Gonçalez, Walter | - |
Autor(es): dc.creator | Rangel, Roberto | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao Antonio | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula Ghedini Der [UNESP] | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:25:54Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:25:54Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-04-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1149/09705.0165ecst | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/198921 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/198921 | - |
Descrição: dc.description | By considering the analog characteristics of Line Tunneling Field Effect Transistors (Line-TFETs) that are suitable for small-signal amplification, this paper studies the design of a readout circuit with these devices while making comparisons with conventional MOSFET designs. The results show that the Line-TFET design exhibits high gain and low reading error (51dB open loop gain) while using a simple one-stage amplifier and results in a huge reduction in circuit area by using pseudo feedback resistors that have their differential resistance increased for smaller dimensions, achieving up to 50Gohm in a 120nm x 100nm device. This enables cutoff frequencies below 1Hz while using nanometer devices and smaller capacitors. Moreover, the readout circuit achieves 33nW of power consumption even though the Line-TFET devices are not biased in the subthreshold regime. | - |
Descrição: dc.description | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) | - |
Descrição: dc.description | Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) | - |
Descrição: dc.description | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) | - |
Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP University of Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | ECE University of Toronto | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Formato: dc.format | 165-170 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | ECS Transactions | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Título: dc.title | Readout circuit design using experimental data of line-TFET devices | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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