Intrinsic voltage gain of stacked GAA nanosheet MOSFETs operating at high temperatures

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (Unesp)-
Autor(es): dc.contributorImec-
Autor(es): dc.creatorPerina, Welder Fernandes-
Autor(es): dc.creatorSilva, Vanessa Cristina Pereira-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao Antonio-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula Ghedini Der [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorSimoen, Eddy-
Autor(es): dc.creatorVeloso, Anabela-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-02-22T00:25:54Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-02-22T00:25:54Z-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-11-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-11-
Data de envio: dc.date.issued2020-04-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1149/09705.0065ecst-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/198920-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/198920-
Descrição: dc.descriptionIn this work, the GAA silicon nanosheet MOSFETs basic parameters are evaluated for different channel lengths at high temperatures. The devices showed a subthreshold swing near the theoretical limit, low temperature variation on threshold voltage (dVTH/dT = -0.4 mV/°C) and low drain induced barrier lowering (DIBL = 50 mV/V at 200°C), both for n-type device. The devices achieved an intrinsic voltage gain around 33 dB for the worst case (channel length of 28 nm), showing that this device is a promising technology for the 7 nm node of the MOS roadmap.-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionLSI/PSI/USP University of Sao Paulo-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo State University-
Descrição: dc.descriptionImec-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo State University-
Formato: dc.format65-69-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationECS Transactions-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Título: dc.titleIntrinsic voltage gain of stacked GAA nanosheet MOSFETs operating at high temperatures-
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