Atenção: Todas as denúncias são sigilosas e sua identidade será preservada.
Os campos nome e e-mail são de preenchimento opcional
Metadados | Descrição | Idioma |
---|---|---|
Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.contributor | Imec | - |
Autor(es): dc.creator | Perina, Welder Fernandes | - |
Autor(es): dc.creator | Silva, Vanessa Cristina Pereira | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao Antonio | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula Ghedini Der [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Simoen, Eddy | - |
Autor(es): dc.creator | Veloso, Anabela | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:25:54Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:25:54Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-04-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1149/09705.0065ecst | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/198920 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/198920 | - |
Descrição: dc.description | In this work, the GAA silicon nanosheet MOSFETs basic parameters are evaluated for different channel lengths at high temperatures. The devices showed a subthreshold swing near the theoretical limit, low temperature variation on threshold voltage (dVTH/dT = -0.4 mV/°C) and low drain induced barrier lowering (DIBL = 50 mV/V at 200°C), both for n-type device. The devices achieved an intrinsic voltage gain around 33 dB for the worst case (channel length of 28 nm), showing that this device is a promising technology for the 7 nm node of the MOS roadmap. | - |
Descrição: dc.description | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) | - |
Descrição: dc.description | Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) | - |
Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP University of Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Descrição: dc.description | Imec | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Formato: dc.format | 65-69 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | ECS Transactions | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Título: dc.title | Intrinsic voltage gain of stacked GAA nanosheet MOSFETs operating at high temperatures | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
O Portal eduCAPES é oferecido ao usuário, condicionado à aceitação dos termos, condições e avisos contidos aqui e sem modificações. A CAPES poderá modificar o conteúdo ou formato deste site ou acabar com a sua operação ou suas ferramentas a seu critério único e sem aviso prévio. Ao acessar este portal, você, usuário pessoa física ou jurídica, se declara compreender e aceitar as condições aqui estabelecidas, da seguinte forma: