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Metadados | Descrição | Idioma |
---|---|---|
Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.creator | Mori, C. A.B. | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, P. G.D. [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, J. A. | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:24:58Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:24:58Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2019-04-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1109/EUROSOI-ULIS45800.2019.9041908 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/198580 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/198580 | - |
Descrição: dc.description | In this paper we propose a new p-type Tunnel Field Effect Transistor based on the planar Back-Enhanced structure (BE-pTFET), by removing the p-type drain doping and using a back bias to obtain similar on-state behaviors to those of a conventional pTFET, while eliminating the ambipolar effect. | - |
Descrição: dc.description | LSI/PSI/USP University of Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State University (UNESP) | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State University (UNESP) | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | 2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, EUROSOI-ULIS 2019 | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Palavras-chave: dc.subject | Silicon-On-Insulator (SOI) | - |
Palavras-chave: dc.subject | Tunnel Field Effect Transistor (TFET) | - |
Palavras-chave: dc.subject | Ultra-Thin Body and Buried oxide (UTBB) | - |
Título: dc.title | Proposal of a p-type Back-Enhanced Tunnel Field Effect Transistor | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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