Proposal of a p-type Back-Enhanced Tunnel Field Effect Transistor

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (Unesp)-
Autor(es): dc.creatorMori, C. A.B.-
Autor(es): dc.creatorAgopian, P. G.D. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorMartino, J. A.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-02-22T00:24:58Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-02-22T00:24:58Z-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-11-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-11-
Data de envio: dc.date.issued2019-04-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1109/EUROSOI-ULIS45800.2019.9041908-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/198580-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/198580-
Descrição: dc.descriptionIn this paper we propose a new p-type Tunnel Field Effect Transistor based on the planar Back-Enhanced structure (BE-pTFET), by removing the p-type drain doping and using a back bias to obtain similar on-state behaviors to those of a conventional pTFET, while eliminating the ambipolar effect.-
Descrição: dc.descriptionLSI/PSI/USP University of Sao Paulo-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State University (UNESP)-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State University (UNESP)-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relation2019 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon, EUROSOI-ULIS 2019-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectSilicon-On-Insulator (SOI)-
Palavras-chave: dc.subjectTunnel Field Effect Transistor (TFET)-
Palavras-chave: dc.subjectUltra-Thin Body and Buried oxide (UTBB)-
Título: dc.titleProposal of a p-type Back-Enhanced Tunnel Field Effect Transistor-
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