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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Imec | - |
Autor(es): dc.contributor | Kyushu University | - |
Autor(es): dc.contributor | KU Leuven | - |
Autor(es): dc.contributor | UTFPR | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.creator | Simoen, Eddy | - |
Autor(es): dc.creator | Claeys, Cor | - |
Autor(es): dc.creator | Oliveira, Alberto | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao | - |
Autor(es): dc.creator | Hsu, Brent | - |
Autor(es): dc.creator | Eneman, Geert | - |
Autor(es): dc.creator | Rosseel, Eric | - |
Autor(es): dc.creator | Loo, Roger | - |
Autor(es): dc.creator | Arimura, Hiroaki | - |
Autor(es): dc.creator | Horiguchi, Naoto | - |
Autor(es): dc.creator | Wen, Wei-Chen | - |
Autor(es): dc.creator | Nakashima, Hiroshi | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:24:16Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:24:16Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2019-08-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919472 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/198334 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/198334 | - |
Descrição: dc.description | A review on the electrical activity of extended defects and, more specifically, threading dislocations in germanium hetero-epitaxial layers is reported here. Focus is on the impact of some basic types of devices, like a p-n junction diode, a Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) capacitor and a Fin-Field-Effect Transistor (FinFET) fabricated in Ge-on-Si. A good understanding of the impact on the leakage current and lifetime in p-n diodes will be shown. Deep-Level Transient Spectroscopy on Ge MOScaps enables the investigation of bulk and interface states related to threading dislocations Finally, the application of Generation-Recombination (GR) noise spectroscopy to the study of GR centers in strained and relaxed Ge-on-Si FinFETs will be illustrated. | - |
Descrição: dc.description | Imec | - |
Descrição: dc.description | Kyushu University | - |
Descrição: dc.description | EE Departm. KU Leuven | - |
Descrição: dc.description | UTFPR Campus Toledo | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Descrição: dc.description | University of Sao Paulo | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | SBMicro 2019 - 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Palavras-chave: dc.subject | Deep-Level Transient Spectroscopy | - |
Palavras-chave: dc.subject | Extended Defects | - |
Palavras-chave: dc.subject | FinFETs | - |
Palavras-chave: dc.subject | Generation-Recombination noise | - |
Palavras-chave: dc.subject | Germanium-on-silicon | - |
Palavras-chave: dc.subject | leakage current | - |
Palavras-chave: dc.subject | MOScap | - |
Palavras-chave: dc.subject | p-n junction diode | - |
Palavras-chave: dc.subject | Threading Dislocations | - |
Título: dc.title | Device-based threading dislocation assessment in germanium hetero-epitaxy | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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