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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | UFRGS | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.creator | Silva, Vanessa C. P. | - |
Autor(es): dc.creator | Wirth, Gilson I. | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao A. | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula G. D. [UNESP] | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:24:13Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:24:13Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-11 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2019-08-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919276 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/198333 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/198333 | - |
Descrição: dc.description | The Negative-Bias-Temperature-Instability (NBTI) is an important reliability parameter for advanced technology nodes. This work presents an experimental study of NBTI in omega-gate nanowire (NW) pMOSFET. The 3D-numerical simulations were performed in order to better understand the NBTI effect in NW transistors. The results shows that NBTI in NW is high (Δ VT≈200-300mV-for W = 10nm) due to the higher gate oxide electric field accelerating the NBTI effect providing a higher degradation. This study was performed for different channel widths and lengths. | - |
Descrição: dc.description | University of Sao Paulo LSI/PSI/USP | - |
Descrição: dc.description | Rio Grande Do sul Federal University UFRGS | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Descrição: dc.description | UNESP Sao Paulo State University | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Relação: dc.relation | SBMicro 2019 - 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices | - |
???dc.source???: dc.source | Scopus | - |
Palavras-chave: dc.subject | MOSFET | - |
Palavras-chave: dc.subject | NBTI | - |
Palavras-chave: dc.subject | NW | - |
Palavras-chave: dc.subject | SOI | - |
Título: dc.title | A negative-bias-temperature-instability study on omega-gate silicon nanowire SOI pMOSFETs | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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