A negative-bias-temperature-instability study on omega-gate silicon nanowire SOI pMOSFETs

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Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorUFRGS-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (Unesp)-
Autor(es): dc.creatorSilva, Vanessa C. P.-
Autor(es): dc.creatorWirth, Gilson I.-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao A.-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula G. D. [UNESP]-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-02-22T00:24:13Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-02-22T00:24:13Z-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-11-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-11-
Data de envio: dc.date.issued2019-08-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919276-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/198333-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/198333-
Descrição: dc.descriptionThe Negative-Bias-Temperature-Instability (NBTI) is an important reliability parameter for advanced technology nodes. This work presents an experimental study of NBTI in omega-gate nanowire (NW) pMOSFET. The 3D-numerical simulations were performed in order to better understand the NBTI effect in NW transistors. The results shows that NBTI in NW is high (Δ VT≈200-300mV-for W = 10nm) due to the higher gate oxide electric field accelerating the NBTI effect providing a higher degradation. This study was performed for different channel widths and lengths.-
Descrição: dc.descriptionUniversity of Sao Paulo LSI/PSI/USP-
Descrição: dc.descriptionRio Grande Do sul Federal University UFRGS-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo State University-
Descrição: dc.descriptionUNESP Sao Paulo State University-
Idioma: dc.languageen-
Relação: dc.relationSBMicro 2019 - 34th Symposium on Microelectronics Technology and Devices-
???dc.source???: dc.sourceScopus-
Palavras-chave: dc.subjectMOSFET-
Palavras-chave: dc.subjectNBTI-
Palavras-chave: dc.subjectNW-
Palavras-chave: dc.subjectSOI-
Título: dc.titleA negative-bias-temperature-instability study on omega-gate silicon nanowire SOI pMOSFETs-
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