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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.contributor | Univ Grenoble Alpes | - |
Autor(es): dc.creator | Bueno, Cristina F. [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Ramos, Aline Y. | - |
Autor(es): dc.creator | Bailly, Aude | - |
Autor(es): dc.creator | Mossang, Eric | - |
Autor(es): dc.creator | Scalvi, Luis V. A. [UNESP] | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:11:41Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:11:41Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-09 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-09 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-08-28 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://dx.doi.org/10.1007/s42452-020-03344-3 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/197243 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/197243 | - |
Descrição: dc.description | X-ray absorption near edge structure (XANES) and extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) data are used for investigating heterostructure samples of GaAs/SnO2. XANES data are used for analyzing the local organization around Eu in the heterostructure formed by GaAs and Eu-doped SnO2. The differences between the XANES data for these samples and data obtained for Eu-doped SnO2 thin films, deposited on glass substrate, are assumed as responsible for the differences in the photoluminescence (PL) spectra concerning the Eu3+ emission, since films deposited on glass substrate do not present Eu3+ PL transitions until the annealing temperature is rather high. Eu3+ emission is explored using two different excitation sources: 350 nm from a Kr+ laser (above SnO2 energy bandgap) and 488 nm from an Ar+ laser (below SnO2 bandgap energy). The existence of more organized regions around the Eu3+ site observed for the heterostructure surface may be associated with the Eu3+ luminescent emission. The main and secondary features in the XANES show that there are differences in the average local Eu environment for the SnO2:Eu isolated thin films and heterostructures, being more organized in the latter. Electrical characterization evidences that the portion of the resistivity reduction that corresponds to photo-ionized intrabandgap states is responsible for the persistent photoconductivity phenomenon in the heterostructures. | - |
Descrição: dc.description | Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) | - |
Descrição: dc.description | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State Univ UNESP, Postgrad Program Mat Sci & Technol POSMAT, Dept Phys FC, Bauru, SP, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Univ Grenoble Alpes, Inst Neel, CNRS, F-38042 Grenoble, France | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State Univ UNESP, Postgrad Program Mat Sci & Technol POSMAT, Dept Phys FC, Bauru, SP, Brazil | - |
Descrição: dc.description | CAPES: 88881.131882/2016-01 | - |
Descrição: dc.description | CAPES: 88887.375016/2019-00-CAPES-PRINT | - |
Formato: dc.format | 15 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Publicador: dc.publisher | Springer | - |
Relação: dc.relation | Sn Applied Sciences | - |
???dc.source???: dc.source | Web of Science | - |
Palavras-chave: dc.subject | Tin dioxide | - |
Palavras-chave: dc.subject | Gallium arsenide | - |
Palavras-chave: dc.subject | Heterostructure | - |
Palavras-chave: dc.subject | Electro-optical properties | - |
Título: dc.title | X-ray absorption spectroscopy and Eu3+-emission characteristics in GaAs/SnO2 heterostructure | - |
Tipo de arquivo: dc.type | livro digital | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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