Processing of BiFeO3 thin films to control their dielectric response

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (Unesp)-
Autor(es): dc.contributorFed Inst Educ Sci & Technol Sao Paulo-
Autor(es): dc.contributorUniv Rio Verde UniRV-
Autor(es): dc.creatorReis, S. P. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorFreitas, F. E. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorAraujo, E. B. [UNESP]-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-02-22T00:10:49Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-02-22T00:10:49Z-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-09-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-09-
Data de envio: dc.date.issued2020-05-18-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1080/00150193.2020.1722884-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/196929-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/196929-
Descrição: dc.descriptionBiFeO3 (BFO) thin films were studied to control their oxygen-related processing parameters in order to obtain specific electrical characteristics in terms of conductivity and dielectric relaxation. BFO thin films prepared with Fe and Bi excesses and post-annealed in oxygen atmosphere showed higher electrical conductivity and lower conduction activation energies than single phase ones. Distinct parameters indicated different conduction mechanisms in the films, associated with the first ionization of oxygen vacancies in BFO films with Fe and Bi excesses and the second one in single phase films. Higher conductive films show lower relaxation times compared to single phase ones.-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, Dept Phys & Chem, Ilha Solteira, Brazil-
Descrição: dc.descriptionFed Inst Educ Sci & Technol Sao Paulo, Votuporanga, Brazil-
Descrição: dc.descriptionUniv Rio Verde UniRV, Rio Verde, Brazil-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, Dept Phys & Chem, Ilha Solteira, Brazil-
Descrição: dc.descriptionFAPESP: 2017/13769-1-
Descrição: dc.descriptionCNPq: 304604/2015-1-
Descrição: dc.descriptionCAPES: 88887.310512/2018-00-
Formato: dc.format61-69-
Idioma: dc.languageen-
Publicador: dc.publisherTaylor & Francis Ltd-
Relação: dc.relationFerroelectrics-
???dc.source???: dc.sourceWeb of Science-
Palavras-chave: dc.subjectConductivity-
Palavras-chave: dc.subjectdielectric relaxation-
Palavras-chave: dc.subjectbismuth ferrite-
Palavras-chave: dc.subjectthin films-
Título: dc.titleProcessing of BiFeO3 thin films to control their dielectric response-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

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