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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.creator | Mori, C. A. B. | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, P. G. D. [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, J. A. | - |
Autor(es): dc.creator | IEEE | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:06:31Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:06:31Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-09 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-09 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2019-01-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/195645 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/195645 | - |
Descrição: dc.description | In this paper we propose a new p-type Tunnel Field Effect Transistor based on the planar Back-Enhanced structure (BE-pTFET), by removing the p-type drain doping and using a back bias to obtain similar on-state behaviors to those of a conventional pTFET, while eliminating the ambipolar effect. | - |
Descrição: dc.description | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) | - |
Descrição: dc.description | Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) | - |
Descrição: dc.description | Univ Sao Paulo, LSI PSI USP, Sao Paulo, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State Univ UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State Univ UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil | - |
Descrição: dc.description | FAPESP: 2017/26489-7 | - |
Formato: dc.format | 3 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Publicador: dc.publisher | Ieee | - |
Relação: dc.relation | 2019 Joint International Eurosoi Workshop And International Conference On Ultimate Integration On Silicon (eurosoi-ulis) | - |
???dc.source???: dc.source | Web of Science | - |
Palavras-chave: dc.subject | Tunnel Field Effect Transistor (TFET) | - |
Palavras-chave: dc.subject | Silicon-On-Insulator (SOI) | - |
Palavras-chave: dc.subject | Ultra-Thin Body and Buried oxide (UTBB) | - |
Título: dc.title | Proposal of a p-type Back-Enhanced Tunnel Field Effect Transistor | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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