Experimental silicon tunnel-FET device model applied to design a Gm-C filter

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (Unesp)-
Autor(es): dc.contributorUniv Toronto-
Autor(es): dc.creatorRangel, R. S.-
Autor(es): dc.creatorAgopian, P. G. D. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorMartino, J. A.-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-02-22T00:06:19Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-02-22T00:06:19Z-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-09-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-09-
Data de envio: dc.date.issued2020-09-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ab9ea8-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/195614-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/195614-
Descrição: dc.descriptionThis work presents the design of a Gm-C filter using experimental data of a silicon tunneling field effect transistors (TFET) device. The application takes advantage of the low g(m)of a Si TFET device, resulting in an optimized low cutoff frequency filter, desired, for example, in biomedical applications. A look-up table model is used, with the experimental device data as input, which is reported to have an accurate response comparing to the measurements. The design of an operational amplifier circuit, the main part of a Gm-C filter, is presented, where around 100 dB voltage gain with two-stage topology is obtained. The filter showed a 100 Hz cutoff frequency response with 36 nW pole(-1)power consumption, which represents a significant improvement in comparison to recently reported designs using CMOS technology.-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionUniv Sao Paulo, LSI, PSI, Sao Paulo, Brazil-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil-
Descrição: dc.descriptionUniv Toronto, ECE, Toronto, ON, Canada-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil-
Formato: dc.format7-
Idioma: dc.languageen-
Publicador: dc.publisherIop Publishing Ltd-
Relação: dc.relationSemiconductor Science And Technology-
???dc.source???: dc.sourceWeb of Science-
Palavras-chave: dc.subjecttunnel-field effect transistor-
Palavras-chave: dc.subjectanalog design-
Palavras-chave: dc.subjectverilog-A-
Título: dc.titleExperimental silicon tunnel-FET device model applied to design a Gm-C filter-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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