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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | IMEC | - |
Autor(es): dc.contributor | Kyushu Univ | - |
Autor(es): dc.contributor | Katholieke Univ Leuven | - |
Autor(es): dc.contributor | UTFPR | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.creator | Simoen, Eddy | - |
Autor(es): dc.creator | Hsu, Brent | - |
Autor(es): dc.creator | Eneman, Geert | - |
Autor(es): dc.creator | Rosseel, Eric | - |
Autor(es): dc.creator | Loo, Roger | - |
Autor(es): dc.creator | Arimura, Hiroaki | - |
Autor(es): dc.creator | Horiguchi, Naoto | - |
Autor(es): dc.creator | Wen, Wei-Chen | - |
Autor(es): dc.creator | Nakashima, Hiroshi | - |
Autor(es): dc.creator | Claeys, Cor | - |
Autor(es): dc.creator | Oliveira, Alberto | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao | - |
Autor(es): dc.creator | IEEE | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:05:42Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:05:42Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-09 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-09 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2019-01-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/195393 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/195393 | - |
Descrição: dc.description | A review on the electrical activity of extended defects and, more specifically, threading dislocations in germanium hetero-epitaxial layers is reported here. Focus is on the impact of some basic types of devices, like a p-n junction diode, a Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) capacitor and a Fin-Field-Effect Transistor (FinFET) fabricated in Ge-on-Si. A good understanding of the impact on the leakage current and lifetime in p-n diodes will be shown. Deep-Level Transient Spectroscopy on Ge MOScaps enables the investigation of bulk and interface states related to threading dislocations Finally, the application of Generation-Recombination (GR) noise spectroscopy to the study of GR centers in strained and relaxed Ge-on-Si FinFETs will be illustrated. | - |
Descrição: dc.description | European Commission | - |
Descrição: dc.description | IMEC, Leuven, Belgium | - |
Descrição: dc.description | Kyushu Univ, Fukuoka, Japan | - |
Descrição: dc.description | Katholieke Univ Leuven, EE Dept, Leuven, Belgium | - |
Descrição: dc.description | UTFPR, Campus Toledo, Toledo, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Univ Sao Paulo, Sao Paulo, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil | - |
Formato: dc.format | 6 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Publicador: dc.publisher | Ieee | - |
Relação: dc.relation | 2019 34th Symposium On Microelectronics Technology And Devices (sbmicro 2019) | - |
???dc.source???: dc.source | Web of Science | - |
Palavras-chave: dc.subject | Germanium-on-silicon | - |
Palavras-chave: dc.subject | FinFETs | - |
Palavras-chave: dc.subject | Extended Defects | - |
Palavras-chave: dc.subject | Threading Dislocations | - |
Palavras-chave: dc.subject | Deep-Level Transient Spectroscopy | - |
Palavras-chave: dc.subject | p-n junction diode | - |
Palavras-chave: dc.subject | leakage current | - |
Palavras-chave: dc.subject | Generation-Recombination noise | - |
Palavras-chave: dc.subject | MOScap | - |
Título: dc.title | Device-Based Threading Dislocation Assessment in Germanium Hetero-Epitaxy | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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