Application of UTBB (SOI)-S-BE Tunnel-FET as a Dual-Technology Transistor

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (Unesp)-
Autor(es): dc.creatorMori, Carlos A. B.-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula G. D. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao A.-
Autor(es): dc.creatorIEEE-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-02-22T00:05:41Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-02-22T00:05:41Z-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-09-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-09-
Data de envio: dc.date.issued2019-01-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/195390-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/195390-
Descrição: dc.descriptionIn this work we propose for the first time the use of the recently introduced UTBB (SOI)-S-BE TFET (Ultra-Thin Body and Box Back Enhanced Silicon-On-Insulator Tunnel-FET) operating as a MOSFET device only by changing its bias condition. The principle is based on the carrier type generated by the back gate electric field. For negative back gate and drain biases applied in the device studied in this work, it works like a pTFET, while for positive ones it operates as an nMOS. TCAD device simulation was used for the proof of concept.-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionUniv Sao Paulo, LSI, PSI, Sao Paulo, Brazil-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil-
Formato: dc.format4-
Idioma: dc.languageen-
Publicador: dc.publisherIeee-
Relação: dc.relation2019 34th Symposium On Microelectronics Technology And Devices (sbmicro 2019)-
???dc.source???: dc.sourceWeb of Science-
Palavras-chave: dc.subjectSilicon-On-Insulator (SOI)-
Palavras-chave: dc.subjectTunnel-FET-
Palavras-chave: dc.subjectMOSFET-
Palavras-chave: dc.subjectReconfigurable transistor-
Palavras-chave: dc.subjectdual technology transistor-
Título: dc.titleApplication of UTBB (SOI)-S-BE Tunnel-FET as a Dual-Technology Transistor-
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