Atenção: Todas as denúncias são sigilosas e sua identidade será preservada.
Os campos nome e e-mail são de preenchimento opcional
Metadados | Descrição | Idioma |
---|---|---|
Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.creator | Mori, Carlos A. B. | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula G. D. [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao A. | - |
Autor(es): dc.creator | IEEE | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:05:41Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:05:41Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-09 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-09 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2019-01-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/195390 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/195390 | - |
Descrição: dc.description | In this work we propose for the first time the use of the recently introduced UTBB (SOI)-S-BE TFET (Ultra-Thin Body and Box Back Enhanced Silicon-On-Insulator Tunnel-FET) operating as a MOSFET device only by changing its bias condition. The principle is based on the carrier type generated by the back gate electric field. For negative back gate and drain biases applied in the device studied in this work, it works like a pTFET, while for positive ones it operates as an nMOS. TCAD device simulation was used for the proof of concept. | - |
Descrição: dc.description | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) | - |
Descrição: dc.description | Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) | - |
Descrição: dc.description | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) | - |
Descrição: dc.description | Univ Sao Paulo, LSI, PSI, Sao Paulo, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil | - |
Formato: dc.format | 4 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Publicador: dc.publisher | Ieee | - |
Relação: dc.relation | 2019 34th Symposium On Microelectronics Technology And Devices (sbmicro 2019) | - |
???dc.source???: dc.source | Web of Science | - |
Palavras-chave: dc.subject | Silicon-On-Insulator (SOI) | - |
Palavras-chave: dc.subject | Tunnel-FET | - |
Palavras-chave: dc.subject | MOSFET | - |
Palavras-chave: dc.subject | Reconfigurable transistor | - |
Palavras-chave: dc.subject | dual technology transistor | - |
Título: dc.title | Application of UTBB (SOI)-S-BE Tunnel-FET as a Dual-Technology Transistor | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
O Portal eduCAPES é oferecido ao usuário, condicionado à aceitação dos termos, condições e avisos contidos aqui e sem modificações. A CAPES poderá modificar o conteúdo ou formato deste site ou acabar com a sua operação ou suas ferramentas a seu critério único e sem aviso prévio. Ao acessar este portal, você, usuário pessoa física ou jurídica, se declara compreender e aceitar as condições aqui estabelecidas, da seguinte forma: