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Metadados | Descrição | Idioma |
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Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.creator | Perina, Welder F. | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao A. | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula Ghedini D. [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | IEEE | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:05:41Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:05:41Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-09 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-09 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2019-01-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/195387 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/195387 | - |
Descrição: dc.description | This paper shows the influence of channel width (W-NW) and channel length (L) on intrinsic voltage gain (A(V)) and on unit-gain frequency (f(t)) of omega-gate nanowire SOI MOSFET. The f(t) is calculated taking into consideration the experimental gate capacitance. The device showed excellent electrostatic control for the W-NW of 10 nm, which improved transconductance, consequently, improving both A(V) and f(t). This technology showed values of A(V) around 80 dB and a f(t) of over 200 GHz, proving that this device is an excellent for future analog applications like 5G communications and Internet-of-Things (IoT). | - |
Descrição: dc.description | Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) | - |
Descrição: dc.description | Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) | - |
Descrição: dc.description | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) | - |
Descrição: dc.description | CEA-LETI | - |
Descrição: dc.description | Univ Sao Paulo, LSI PSI USP, Sao Paulo, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil | - |
Formato: dc.format | 4 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Publicador: dc.publisher | Ieee | - |
Relação: dc.relation | 2019 34th Symposium On Microelectronics Technology And Devices (sbmicro 2019) | - |
???dc.source???: dc.source | Web of Science | - |
Palavras-chave: dc.subject | SOI | - |
Palavras-chave: dc.subject | Omega-gate | - |
Palavras-chave: dc.subject | Nanowire | - |
Palavras-chave: dc.subject | Unit-gain Frequency | - |
Palavras-chave: dc.subject | Intrinsic Voltage Gain | - |
Título: dc.title | Intrinsic voltage gain and unit-gain frequency of omega-gate nanowire SOI MOSFETs | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
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