Intrinsic voltage gain and unit-gain frequency of omega-gate nanowire SOI MOSFETs

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (Unesp)-
Autor(es): dc.creatorPerina, Welder F.-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao A.-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula Ghedini D. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorIEEE-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-02-22T00:05:41Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-02-22T00:05:41Z-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-09-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-09-
Data de envio: dc.date.issued2019-01-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/195387-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/195387-
Descrição: dc.descriptionThis paper shows the influence of channel width (W-NW) and channel length (L) on intrinsic voltage gain (A(V)) and on unit-gain frequency (f(t)) of omega-gate nanowire SOI MOSFET. The f(t) is calculated taking into consideration the experimental gate capacitance. The device showed excellent electrostatic control for the W-NW of 10 nm, which improved transconductance, consequently, improving both A(V) and f(t). This technology showed values of A(V) around 80 dB and a f(t) of over 200 GHz, proving that this device is an excellent for future analog applications like 5G communications and Internet-of-Things (IoT).-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionCEA-LETI-
Descrição: dc.descriptionUniv Sao Paulo, LSI PSI USP, Sao Paulo, Brazil-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil-
Formato: dc.format4-
Idioma: dc.languageen-
Publicador: dc.publisherIeee-
Relação: dc.relation2019 34th Symposium On Microelectronics Technology And Devices (sbmicro 2019)-
???dc.source???: dc.sourceWeb of Science-
Palavras-chave: dc.subjectSOI-
Palavras-chave: dc.subjectOmega-gate-
Palavras-chave: dc.subjectNanowire-
Palavras-chave: dc.subjectUnit-gain Frequency-
Palavras-chave: dc.subjectIntrinsic Voltage Gain-
Título: dc.titleIntrinsic voltage gain and unit-gain frequency of omega-gate nanowire SOI MOSFETs-
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