Atenção: Todas as denúncias são sigilosas e sua identidade será preservada.
Os campos nome e e-mail são de preenchimento opcional
Metadados | Descrição | Idioma |
---|---|---|
Autor(es): dc.contributor | Universidade de São Paulo (USP) | - |
Autor(es): dc.contributor | Rio Grande do Sul Fed Univ | - |
Autor(es): dc.contributor | Universidade Estadual Paulista (Unesp) | - |
Autor(es): dc.creator | Silva, Vanessa C. P. | - |
Autor(es): dc.creator | Wirth, Gilson | - |
Autor(es): dc.creator | Martino, Joao A. | - |
Autor(es): dc.creator | Agopian, Paula G. D. [UNESP] | - |
Autor(es): dc.creator | IEEE | - |
Data de aceite: dc.date.accessioned | 2022-02-22T00:05:40Z | - |
Data de disponibilização: dc.date.available | 2022-02-22T00:05:40Z | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-09 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2020-12-09 | - |
Data de envio: dc.date.issued | 2019-01-01 | - |
Fonte completa do material: dc.identifier | http://hdl.handle.net/11449/195386 | - |
Fonte: dc.identifier.uri | http://educapes.capes.gov.br/handle/11449/195386 | - |
Descrição: dc.description | The Negative-Bias-Temperature-Instability (NBTI) is an important reliability parameter for advanced technology nodes. This work presents an experimental study of NBTI in omega-gate nanowire (NW) pMOSFET. The 3D-numerical simulations were performed in order to better understand the NBTI effect in NW transistors. The results shows that NBTI in NW is high (Delta V-T approximate to 200-300mV - for W-NW=10nm) due to the higher gate oxide electric field accelerating the NBTI effect providing a higher degradation. This study was performed for different channel widths and lengths. | - |
Descrição: dc.description | Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) | - |
Descrição: dc.description | CEA-LETI | - |
Descrição: dc.description | Univ Sao Paulo, LSI PSI USP, Sao Paulo, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Rio Grande do Sul Fed Univ, UFRGS, Porto Alegre, RS, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil | - |
Descrição: dc.description | Sao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil | - |
Formato: dc.format | 4 | - |
Idioma: dc.language | en | - |
Publicador: dc.publisher | Ieee | - |
Relação: dc.relation | 2019 34th Symposium On Microelectronics Technology And Devices (sbmicro 2019) | - |
???dc.source???: dc.source | Web of Science | - |
Palavras-chave: dc.subject | NBTI | - |
Palavras-chave: dc.subject | NW | - |
Palavras-chave: dc.subject | SOI | - |
Palavras-chave: dc.subject | MOSFET | - |
Título: dc.title | A Negative-Bias-Temperature-Instability Study on Omega-Gate Silicon Nanowire SOI pMOSFETs | - |
Aparece nas coleções: | Repositório Institucional - Unesp |
O Portal eduCAPES é oferecido ao usuário, condicionado à aceitação dos termos, condições e avisos contidos aqui e sem modificações. A CAPES poderá modificar o conteúdo ou formato deste site ou acabar com a sua operação ou suas ferramentas a seu critério único e sem aviso prévio. Ao acessar este portal, você, usuário pessoa física ou jurídica, se declara compreender e aceitar as condições aqui estabelecidas, da seguinte forma: