A Negative-Bias-Temperature-Instability Study on Omega-Gate Silicon Nanowire SOI pMOSFETs

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Autor(es): dc.contributorUniversidade de São Paulo (USP)-
Autor(es): dc.contributorRio Grande do Sul Fed Univ-
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (Unesp)-
Autor(es): dc.creatorSilva, Vanessa C. P.-
Autor(es): dc.creatorWirth, Gilson-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao A.-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula G. D. [UNESP]-
Autor(es): dc.creatorIEEE-
Data de aceite: dc.date.accessioned2022-02-22T00:05:40Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2022-02-22T00:05:40Z-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-09-
Data de envio: dc.date.issued2020-12-09-
Data de envio: dc.date.issued2019-01-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/195386-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/195386-
Descrição: dc.descriptionThe Negative-Bias-Temperature-Instability (NBTI) is an important reliability parameter for advanced technology nodes. This work presents an experimental study of NBTI in omega-gate nanowire (NW) pMOSFET. The 3D-numerical simulations were performed in order to better understand the NBTI effect in NW transistors. The results shows that NBTI in NW is high (Delta V-T approximate to 200-300mV - for W-NW=10nm) due to the higher gate oxide electric field accelerating the NBTI effect providing a higher degradation. This study was performed for different channel widths and lengths.-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionCEA-LETI-
Descrição: dc.descriptionUniv Sao Paulo, LSI PSI USP, Sao Paulo, Brazil-
Descrição: dc.descriptionRio Grande do Sul Fed Univ, UFRGS, Porto Alegre, RS, Brazil-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil-
Descrição: dc.descriptionSao Paulo State Univ, UNESP, Sao Joao Da Boa Vista, Brazil-
Formato: dc.format4-
Idioma: dc.languageen-
Publicador: dc.publisherIeee-
Relação: dc.relation2019 34th Symposium On Microelectronics Technology And Devices (sbmicro 2019)-
???dc.source???: dc.sourceWeb of Science-
Palavras-chave: dc.subjectNBTI-
Palavras-chave: dc.subjectNW-
Palavras-chave: dc.subjectSOI-
Palavras-chave: dc.subjectMOSFET-
Título: dc.titleA Negative-Bias-Temperature-Instability Study on Omega-Gate Silicon Nanowire SOI pMOSFETs-
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