The Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1-xAs nTFETs

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.creatorBordallo, Caio C. M.-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao Antonio-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula G. D.-
Autor(es): dc.creatorAlian, Alireza-
Autor(es): dc.creatorMols, Yves-
Autor(es): dc.creatorRooyackers, Rita-
Autor(es): dc.creatorVandooren, Anne-
Autor(es): dc.creatorVerhulst, Anne S.-
Autor(es): dc.creatorSimoen, Eddy-
Autor(es): dc.creatorClaeys, Cor-
Autor(es): dc.creatorCollaert, Nadine-
Data de aceite: dc.date.accessioned2021-03-10T23:45:50Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2021-03-10T23:45:50Z-
Data de envio: dc.date.issued2018-11-26-
Data de envio: dc.date.issued2018-11-26-
Data de envio: dc.date.issued2017-09-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1109/TED.2017.2721110-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/159674-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/159674-
Descrição: dc.descriptionConselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq)-
Descrição: dc.descriptionFundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP)-
Descrição: dc.descriptionImec's Logic Device Program-
Descrição: dc.descriptionThe basic analog parameters of three splits of InxGa1 - xAs nTFETs are analyzed for the first time. The first two splits are In0.53Ga0.47As devices with a 3-nm HfO2/1-nm Al2O3 and a 2-nm HfO2/1-nm Al2O3, while the last one is an In0.7Ga0.3As channel with a 3-nm HfO2/1-nm Al2O3 gate. The lowequivalentoxide thicknessimproves the electrostatic coupling, enhancing I-DS, and, consequently, also gm and A(V), especially for higher V-GS. The InGaAs tunnel field-effect transistors (TFETs) show compatible performance with Si TFETs, and have better performance than Si MOSFETs, making them useful for low-power and lowvoltage analog applications. The highest efficiency is found using the combination of a 2-nm HfO2 with In0.53Ga0.47As, due to the 56-mV/dec subthreshold swing obtained. For all splits, the A(V) peak can be related to the V-GS necessary for band-to-band tunneling to become the dominant transport mechanism.-
Formato: dc.format3588-3593-
Idioma: dc.languageen-
Publicador: dc.publisherIeee-inst Electrical Electronics Engineers Inc-
Relação: dc.relationIeee Transactions On Electron Devices-
Relação: dc.relation0,839-
Direitos: dc.rightsopenAccess-
Palavras-chave: dc.subjectAnalog parameters-
Palavras-chave: dc.subjectcurrent conduction mechanisms-
Palavras-chave: dc.subjectintrinsic voltage gain-
Palavras-chave: dc.subjectsub-60 mV/dec-
Palavras-chave: dc.subjecttunnel field-effect transistors (TFET)-
Título: dc.titleThe Influence of Oxide Thickness and Indium Amount on the Analog Parameters of InxGa1-xAs nTFETs-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
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