Low-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes

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MetadadosDescriçãoIdioma
Autor(es): dc.contributorUniversidade Estadual Paulista (UNESP)-
Autor(es): dc.creatorOliveira, Alberto V. de-
Autor(es): dc.creatorSimoen, Eddy-
Autor(es): dc.creatorMitard, Jerome-
Autor(es): dc.creatorAgopian, Paula G. D.-
Autor(es): dc.creatorMartino, Joao Antonio-
Autor(es): dc.creatorLanger, Robert-
Autor(es): dc.creatorWitters, Liesbeth-
Autor(es): dc.creatorCollaert, Nadine-
Autor(es): dc.creatorThean, Aaron Voon-Yew-
Autor(es): dc.creatorClaeys, Cor-
Data de aceite: dc.date.accessioned2021-03-10T23:44:28Z-
Data de disponibilização: dc.date.available2021-03-10T23:44:28Z-
Data de envio: dc.date.issued2018-11-26-
Data de envio: dc.date.issued2018-11-26-
Data de envio: dc.date.issued2016-10-01-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://dx.doi.org/10.1109/TED.2016.2598288-
Fonte completa do material: dc.identifierhttp://hdl.handle.net/11449/159109-
Fonte: dc.identifier.urihttp://educapes.capes.gov.br/handle/11449/159109-
Descrição: dc.descriptionCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES)-
Descrição: dc.descriptionFWO-
Descrição: dc.descriptionLogic IIAP Program-
Descrição: dc.descriptionAn experimental low-frequency noise (LFN) assessment of long channel Ge pFinFET devices fabricated in different shallow trench isolation (STI) processes is presented, taking into consideration devices with fin widths from 100 nm (planar-like) down to 20 nm. In addition, the correlation among LFN parameters, hole mobility and threshold voltage, is also evaluated. The carrier number fluctuation (Delta N) model is confirmed as dominant mechanism for all studied Ge pFinFETs and there is no correlation with the used STI process. From the LFN, it is evidenced that the Coulomb scattering mobility mechanism plays an important role for STI-first process, resulting in a mobility degradation.-
Formato: dc.format4031-4037-
Idioma: dc.languageen-
Publicador: dc.publisherIeee-inst Electrical Electronics Engineers Inc-
Relação: dc.relationIeee Transactions On Electron Devices-
Relação: dc.relation0,839-
Direitos: dc.rightsopenAccess-
Palavras-chave: dc.subjectGe pFinFET-
Palavras-chave: dc.subjectlow-frequency noise (LFN)-
Palavras-chave: dc.subjectshallow trench isolation (STI) first-
Palavras-chave: dc.subjectSTI last-
Título: dc.titleLow-Frequency Noise Assessment of Different Ge pFinFET STI Processes-
Tipo de arquivo: dc.typelivro digital-
Aparece nas coleções:Repositório Institucional - Unesp

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