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Portal eduCapes
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Effect of non-abrupt doping and interfacial profiles on the carrier sheet density in one-side modulation-doped GaN/AlGaN quantum wells
Enders Neto, Bernhard Georg; Lima, Fábio Menezes de Souza; Fonseca, Antonio Luciano de Almeida; Nunes, O. A. C.; Silva Júnior, Eronides Felisberto da
10-Dez-2010
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Limitation of electron mobility in modulation-doped In0.53Ga0.47As/InP quantum wells at low temperatures
Lima, Fábio Menezes de Souza; Veloso, Aline Bessa; Fonseca, Antonio Luciano de Almeida; Nunes, O. A. C.
10-Dez-2010
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