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Mostrando resultados 1 a 6 de 6
Evaluation of Dielectrically Modulated and Fringing Field Tunneling Field Effect Transistor Biosensors Devices
Universidade de São Paulo (USP); Universidade Estadual Paulista (UNESP)
Macambira, C. N.; Agopian, P. G.D. [UNESP]; Martino, J. A.
28-Abr-2022
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Gate dielectric material influence on DC behavior of MO(I)SHEMT devices operating up to 150 °C
Universidade Estadual Paulista (Unesp); Universidade de São Paulo (USP); Imec
Agopian, P. G.D. [UNESP]; Carmo, G. J. [UNESP]; Martino, J. A.; Simoen, E.; Peralagu, U.; Parvais, B.; Waldron, N.; Collaert, N.
25-Jun-2021
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Optimization of the Dual-Technology Back-Enhanced Field Effect Transistor
Universidade de São Paulo (USP); Universidade Estadual Paulista (Unesp)
Mori, C. A.B.; Agopian, P. G.D. [UNESP]; Martino, J. A.
25-Jun-2021
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Output conductance of line-TFETs for different device parameters and its effect on basic analog circuits
Universidade de São Paulo (USP); Universidade Estadual Paulista (Unesp)
Gonçalez Filho, W.; Martino, J. A.; Agopian, P. G.D. [UNESP]
11-Dez-2020
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Proposal of a p-type Back-Enhanced Tunnel Field Effect Transistor
Universidade de São Paulo (USP); Universidade Estadual Paulista (Unesp)
Mori, C. A.B.; Agopian, P. G.D. [UNESP]; Martino, J. A.
11-Dez-2020
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Study of a fringing field biosensor tunnel-FET
Universidade de São Paulo (USP); Universidade Estadual Paulista (Unesp)
Macambira, C. N.; Agopian, P. G.D. [UNESP]; Martino, J. A.
25-Jun-2021
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